MACOM代理商現貨PH3135-20M航空航天與國防NPN硅微波功率晶體管, 密封金屬/陶瓷封裝內部輸入和輸出阻抗匹配,金金屬化系統。
MACOM現貨MRF426用于1.5至30 MHz HF / SSB設備中的高增益驅動器和輸出線性放大器, 額定28 V,30 MHz特性:輸出功率= 25 W(PEP),最小增益= 22 dB,效率= 35%,互調失真@ 25 W(PEP)-IMD = -30 dB(最大值)。
MACOM現貨MRF314用于30-200 MHz頻率范圍內的寬帶大信號驅動器和輸出放大器,保證150 MHz時的性能,28 Vdc:輸出功率= 30 W,最小增益= 10 dB,高可靠性應用的金金屬化系統。
MACOM現貨MRF10031專為960-1215 MHz長或短脈沖公共基極放大器應用而設計,如JTIDS和Mode-S發射器。保證性能@ 960-1215MHz,36Vdc,金屬金屬化,發射器具有長壽命和抗金屬遷移性。
MACOM現貨MRF455射頻功率晶體管 - 硅雙極性航空航天功率放大器 ,專為工業,商業和業余無線電設備中的功率放大器應用而設計,頻率為30 MHz。 輸出功率= 60 W.
MACOM現貨代理商MRF454工業商業和業余無線電設備中的功率放大器, 指定12.5 V,30 MHz特性:效率= 50%,最小增益= 12 dB, 輸出功率= 80 W.
MACOM代理商現貨MRF327航空航天寬帶大信號輸出放大器, 保證性能@ 400 MHz,28 Vdc:輸出功率= 80 W,225至400 MHz頻段,最小增益= 7.3 dB @ 400 MHz。
PH1214-100EL射頻功率晶體管 - 硅雙極性, 通用基本配置密封金屬擴散發射極鎮流電阻器 符合RoHS標準,MACOM現貨代理商
MRF421高功率線性放大器射頻功率晶體管主要設計用于2.0至30 MHz的高功率線性放大器。100%測試所有相位天使的負載不匹配,具有30:1的VSWR, MACOM代理商現貨
PH2226-110M射頻功率晶體管陶瓷封裝,NPN硅微波功率晶體管符合RoHS標準, 擴散發射極鎮流電阻器,金金屬化系統,MACOM代理商現貨出售
MACOM現貨代理商的MRF392主要設計用于30至500 MHz頻率范圍內的寬帶大信號輸出和驅動放大器級。指定的28 V,400 MHz特性:輸出功率= 125 W,典型增益= 10 dB,效率= 55%(典型值)。
MRF1150MB射頻功率晶體管 - 硅雙極性設計用于短脈沖TACAN,IFF和DME發射器中的B類和C類共基極放大器應用。保證性能@ 1090 MHz,50 Vdc - 輸出功率= 150 W峰值最小增益= 7.8 dB, MACOM現貨代理商熱銷。
MRF422主要設計用于2.0至30 MHz的高功率線性放大器,額定28 V,30 MHz特性:輸出功率= 150 W(PEP),效率= 40%,最小增益= 10 dB,100%測試所有相位天使的負載失配,具有30:1的VSWR, MACOM現貨
MRF429射頻功率晶體管主要設計用于高壓應用,作為2.0至30 MHz的高功率線性放大器。適用于海洋和基站設備。
PH1214-220M硅微波功率晶體管陶瓷封裝 符合RoHS標準,密封金屬/陶瓷封裝,擴散發射極鎮流電阻器,寬帶C類操作, 通用基本配置,MACOM現貨代理出售。
HMC641ALC4是一款寬帶反射GaAs pHEMT SP4T開關,采用緊湊型4x4 mm陶瓷封裝。 該開關頻率范圍為DC至20 GHz,具有高隔離、低插入損耗和片內端接隔離端口。
HMC345ALP3E是一款寬帶非反射GaAs MESFET SP4T開關,采用低成本無引腳表貼封裝。該開關頻率范圍為DC至8 GHz,具有高隔離和低插入損耗。
ADI現貨HMC245AQS16和HMC245AQS16E均為低成本反射式SP3T開關,采用16引腳QSOP表貼封裝。 該開關頻率范圍為DC至3.5 GHz,提供30至40 dB隔離和0.7 dB的低插入損耗。
ADI現貨HMC241ALP3E是一款通用型、非反射式、100 MHz至4 GHz單刀四擲(SP4T)開關,采用砷化鎵(GaAs)工藝制造。該開關提供43 dB(典型值)的高隔離度(2 GHz)、0.7 dB的低插入損耗(2 GHz)和片內端接隔離端口。
HMC199AMS8和HMC199AMS8E均為低成本通用型雙通道SPDT GaAs“旁路”開關,采用8引腳MSOP封裝,頻率范圍為DC至2.5 GHz。 這四個RF端口部件將兩個SPDT開關和一條直通線集成到單個IC上
HMC641A是一款非反射式、單刀四擲(SP4T)開關,采用砷化鎵(GaAs)工藝制造。該開關在0.1 GHz至18 GHz寬帶頻率范圍內通常提供2.1 dB的低插入損耗和42 dB的高隔離度。
HMC574AMS8E是一款低成本SPDT開關,采用8引腳MSOP封裝,適合于高射入功率電平下需要極低失真性能的發射/接收應用。該器件可控制DC至3 GHz信號,尤其適合蜂窩/3G基礎設施、WiMAX和WiBro應用,典型插入損耗僅為0.3 dB。
MRF448?射頻功率晶體管 硅雙極性?主要設計用于高壓應用,作為2.0至30 MHz的高功率線性放大器。適用于海洋和基站設備。若您有任何疑問,請聯系我們立維創展,我們會盡最大努力為您服務。
PH1214-300M密封金屬/陶瓷封裝NPN硅微波功率晶體管 ,內部輸入和輸出阻抗匹配寬帶C類操作擴散發射極鎮流電阻器,符合RoHS標準
MACOM現貨MRF141G專為頻率為175 MHz的寬帶商用和軍用應用而設計。該設備的高功率,高增益和寬帶性能對FM廣播或電視頻道頻段固態發射機和放大器特別有用。
NPTB00004A GaN HEMT是一款針對DC-6 GHz工作進行了優化的VHF / UHF / L波段雷達?寬帶晶體管。該器件采用工業標準表面貼裝SOIC塑料封裝,設計用于CW,脈沖和線性工作,輸出功率為5W(37 dBm)。
NPA1008是一款寬帶集成GaN功率放大器,針對20 - 2700 MHz工作進行了優化。該放大器設計用于飽和和線性工作,輸出電平為5 W(37 dBm),采用無鉛4 x 4 mm 24引腳QFN塑料封裝。NPA1008非常適用于測試和測量,國防通信,陸地移動無線電和無線基礎設施中的通用窄帶到寬帶應用。
NPTB00025B射頻功率晶體管針對DC - 4000MHz的寬帶操作進行了優化,熱增強型工業標準封裝100%射頻測試,特點適用于高達32V的工作電壓
HMC344ALP3E是一款寬帶、非反射式、單刀四擲(SP4T)開關,采用砷化鎵(GaAs)金屬半導體場效應晶體管(MESFET)工藝制造。該開關具有高隔離、低插入損耗和片內端接隔離端口。
HMC322ALP4E是一款寬帶非反射GaAs MESFET SP8T開關,采用低成本無引腳表貼封裝。 該開關頻率范圍為DC至8 GHz,具有高隔離和低插入損耗。 該開關還集成了片內二進制解碼電路,將所需邏輯控制線減至三條