MRF1150MB射頻功率晶體管 - 硅雙極性設計用于短脈沖TACAN,IFF和DME發射器中的B類和C類共基極放大器應用。保證性能@ 1090 MHz,50 Vdc - 輸出功率= 150 W峰值最小增益= 7.8 dB, MACOM現貨代理商熱銷。
MRF422主要設計用于2.0至30 MHz的高功率線性放大器,額定28 V,30 MHz特性:輸出功率= 150 W(PEP),效率= 40%,最小增益= 10 dB,100%測試所有相位天使的負載失配,具有30:1的VSWR, MACOM現貨
MRF429射頻功率晶體管主要設計用于高壓應用,作為2.0至30 MHz的高功率線性放大器。適用于海洋和基站設備。
PH1214-220M硅微波功率晶體管陶瓷封裝 符合RoHS標準,密封金屬/陶瓷封裝,擴散發射極鎮流電阻器,寬帶C類操作, 通用基本配置,MACOM現貨代理出售。
HMC641ALC4是一款寬帶反射GaAs pHEMT SP4T開關,采用緊湊型4x4 mm陶瓷封裝。 該開關頻率范圍為DC至20 GHz,具有高隔離、低插入損耗和片內端接隔離端口。
HMC345ALP3E是一款寬帶非反射GaAs MESFET SP4T開關,采用低成本無引腳表貼封裝。該開關頻率范圍為DC至8 GHz,具有高隔離和低插入損耗。
ADI現貨HMC245AQS16和HMC245AQS16E均為低成本反射式SP3T開關,采用16引腳QSOP表貼封裝。 該開關頻率范圍為DC至3.5 GHz,提供30至40 dB隔離和0.7 dB的低插入損耗。
ADI現貨HMC241ALP3E是一款通用型、非反射式、100 MHz至4 GHz單刀四擲(SP4T)開關,采用砷化鎵(GaAs)工藝制造。該開關提供43 dB(典型值)的高隔離度(2 GHz)、0.7 dB的低插入損耗(2 GHz)和片內端接隔離端口。
HMC199AMS8和HMC199AMS8E均為低成本通用型雙通道SPDT GaAs“旁路”開關,采用8引腳MSOP封裝,頻率范圍為DC至2.5 GHz。 這四個RF端口部件將兩個SPDT開關和一條直通線集成到單個IC上
HMC641A是一款非反射式、單刀四擲(SP4T)開關,采用砷化鎵(GaAs)工藝制造。該開關在0.1 GHz至18 GHz寬帶頻率范圍內通常提供2.1 dB的低插入損耗和42 dB的高隔離度。
HMC574AMS8E是一款低成本SPDT開關,采用8引腳MSOP封裝,適合于高射入功率電平下需要極低失真性能的發射/接收應用。該器件可控制DC至3 GHz信號,尤其適合蜂窩/3G基礎設施、WiMAX和WiBro應用,典型插入損耗僅為0.3 dB。
MRF448?射頻功率晶體管 硅雙極性?主要設計用于高壓應用,作為2.0至30 MHz的高功率線性放大器。適用于海洋和基站設備。若您有任何疑問,請聯系我們立維創展,我們會盡最大努力為您服務。
PH1214-300M密封金屬/陶瓷封裝NPN硅微波功率晶體管 ,內部輸入和輸出阻抗匹配寬帶C類操作擴散發射極鎮流電阻器,符合RoHS標準
MACOM現貨MRF141G專為頻率為175 MHz的寬帶商用和軍用應用而設計。該設備的高功率,高增益和寬帶性能對FM廣播或電視頻道頻段固態發射機和放大器特別有用。
NPTB00004A GaN HEMT是一款針對DC-6 GHz工作進行了優化的VHF / UHF / L波段雷達?寬帶晶體管。該器件采用工業標準表面貼裝SOIC塑料封裝,設計用于CW,脈沖和線性工作,輸出功率為5W(37 dBm)。
NPA1008是一款寬帶集成GaN功率放大器,針對20 - 2700 MHz工作進行了優化。該放大器設計用于飽和和線性工作,輸出電平為5 W(37 dBm),采用無鉛4 x 4 mm 24引腳QFN塑料封裝。NPA1008非常適用于測試和測量,國防通信,陸地移動無線電和無線基礎設施中的通用窄帶到寬帶應用。
NPTB00025B射頻功率晶體管針對DC - 4000MHz的寬帶操作進行了優化,熱增強型工業標準封裝100%射頻測試,特點適用于高達32V的工作電壓
HMC344ALP3E是一款寬帶、非反射式、單刀四擲(SP4T)開關,采用砷化鎵(GaAs)金屬半導體場效應晶體管(MESFET)工藝制造。該開關具有高隔離、低插入損耗和片內端接隔離端口。
HMC322ALP4E是一款寬帶非反射GaAs MESFET SP8T開關,采用低成本無引腳表貼封裝。 該開關頻率范圍為DC至8 GHz,具有高隔離和低插入損耗。 該開關還集成了片內二進制解碼電路,將所需邏輯控制線減至三條
ADI現貨HMC252AQS24E是一款低成本非反射SP6T開關,采用24引腳QSOP封裝,寬帶工作頻率范圍為DC至3.0 GHz。 該開關提供單正偏置和真TTL/CMOS兼容性。
HMC244AG16是一款非反射式SP4T開關,采用16引腳玻璃/金屬(密封)封裝。 該開關頻率范圍為DC至4 GHz,3 GHz范圍內提供30至50 dB隔離和0.7 dB的低插入損耗。
ADI現貨HMC986A是一款寬帶GaAs pHEMT MMIC單刀雙擲(SPDT)開關裸片。這款緊湊型開關采用反射式拓撲結構,通過兩個互補輸入(0/-3V至0/-5V)控制。輸入信號為40 GHz時,該器件具有19 dB回損、34 dB隔離,以及僅2.1 dB的插入損耗。
ADI現貨HMC547ALC3是一款通用型寬帶高隔離非反射GaAs MESFET SPDT開關,采用3x3 mm無引腳陶瓷表貼封裝。該開關頻率范圍為DC至28.0 GHz,在中頻段時具有高于40 dB的隔離度和小于2 dB的插入損耗。
ADI現貨HMC427ALP3E是一款低損耗寬帶正控制轉換開關,采用無引腳表貼封裝。 該開關頻率范圍為DC至8 GHz,具有高隔離和低插入損耗。 該開關采用0/+5V正控制電壓工作,所需固定偏置為+5V (< 20 μA)。
ADI現貨的HMC347A是一款寬帶非反射式GaAs pHEMT SPDT MMIC芯片。該開關頻率范圍為DC至20 GHz,具有高隔離和低插入損耗。由于采用了片內通孔結構,該開關在較低頻率下具有超過52 dB的隔離度,在較高頻率下具有超過40 dB的隔離度。
HMC321ALP4E是一款寬帶非反射GaAs SP8T開關,采用低成本無引腳表貼封裝。該開關頻率范圍為DC至8 GHz,具有高隔離和低插入損耗。該開關還集成了板載二進制解碼電路,將所需邏輯控制線減至三條。
HMC612LP4(E)對數檢波器/控制器適合用來將頻率范圍為50 Hz至3 GHz的輸入信號轉換為輸出端成比例的直流電壓。 HMC612LP4(E)采用連續壓縮技術,在寬輸入頻率范圍內具有極高的動態范圍和轉換精度。
HMC611LP4(E)對數檢波器/控制器將輸入端的RF信號轉換為輸出端成正比的DC電壓。HMC611LP4(E)利用連續壓縮拓撲結構,提供寬輸入頻率范圍內的極高動態范圍和轉換精度。隨著輸入功率增加,連續放大器逐漸進入飽和,從而生成精確的對數函數近似值。
HMC713LP3E對數檢波器/控制器非常適合將RF信號(50 MHz至8000 MHz頻率范圍內)的功率在輸出端轉換為與輸入功率成正比的直流電壓。 HMC713LP3E采用連續壓縮技術,可在寬輸入頻率范圍內提供具有高測量精度的54 dB動態范圍。
HMC1021LP4E是一款集成高帶寬包絡檢波器的RMS功率檢波器。RMS輸出為溫度補償式、單調、線性dB表示的RF實信號功率,采用70 dB的輸入檢測范圍測量。