HMC1113LP5E是一款緊湊型GaAs MMIC I/Q下變頻器,采用無鉛5 x 5 mm低應(yīng)力注塑塑料表貼封裝。 該器件提供12 dB的小信號轉(zhuǎn)換增益、1.8 dB的噪聲系數(shù)和25 dBc的鏡像抑制性能。 HMC1113LP5E采用LNA,后接由LO緩沖器放大器驅(qū)動的鏡像抑制混頻器。
HMC951B是一款緊湊型GaAs MMIC I/Q下變頻器,采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的無引腳SMT封裝。 該器件在整個頻段范圍內(nèi)提供13 dB的小信號轉(zhuǎn)換增益、2 dB的噪聲系數(shù)和24 dB的鏡像抑制性能。 HMC951B采用LNA,后接由LO緩沖器放大器驅(qū)動的鏡像抑制混頻器。
HMC8108是一款緊湊型、X頻段、砷化鎵(GaAs)單芯片微波集成電路(MMIC)同相正交(I/Q)低噪聲轉(zhuǎn)換器,采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的陶瓷無鉛芯片載體封裝。HMC8108將范圍為9 GHz至10 GHz的射頻(RF)輸入信號轉(zhuǎn)換為輸出端的60 MHz典型單端中頻(IF)信號。
HMC1056LP4BE是一款緊湊型I/Q MMIC混頻器,采用“無鉛”SMT封裝,可用作鏡像抑制混頻器或單邊帶上變頻器。 該混頻器采用兩個標(biāo)準(zhǔn)Hittite雙平衡混頻器單元和一個90度混合器件,均采用GaAs Schottky二極管工藝制造。
HMC1063LP3E是一款緊湊型I/Q MMIC混頻器,采用“無鉛”SMT封裝,可用作鏡像抑制混頻器或單邊帶上變頻器。 該混頻器采用兩個標(biāo)準(zhǔn)Hittite雙平衡混頻器單元和一個90度混合器件,均采用GaAs Schottky二極管工藝制造。
Qorvo新的FEMs - QPM2637和QPM1002 - 建立在Qorvo的氮化鎵技術(shù)基礎(chǔ)之上,該技術(shù)可實(shí)現(xiàn)更高的效率,可靠性,功率和可生存性,并可節(jié)省尺寸,重量和成本。每個FEM將關(guān)鍵的T / R模塊功能集成到一個緊湊的封裝中:T / R開關(guān),功率放大器和低噪聲放大器(LNA)。
HMC520A是一款砷化鎵(GaAs)單芯片微波集成電路(MMIC)、同相正交(I/Q)混頻器,采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的24引腳、陶瓷無鉛芯片載體(LCC)封裝。該器件可用作鏡像抑制混頻器或單邊帶上變頻器。
HMC8191是一款無源寬帶I/Q單芯片微波集成電路(MMIC)混頻器,可用作接收器鏡像抑制混頻器或發(fā)射器單邊帶上變頻器。HMC8191具有6 GHz至26.5 GHz的射頻(RF)和本振(LO)范圍以及DC至5 GHz的中頻(IF)帶寬,非常適合需要寬頻率范圍
HMC524ALC3B是一款緊湊型GaAs MMIC I/Q混頻器,采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的無引腳SMT陶瓷封裝。 該器件可用作鏡像抑制混頻器或單邊帶上變頻器。 該混頻器采用兩個標(biāo)準(zhǔn)雙平衡混頻器單元和一個90度混合器件,均采用GaAs MESFET工藝制造。
HMC498LC4是一款高動態(tài)范圍GaAs PHEMT MMIC中等功率放大器,采用無引腳“無鉛”SMT封裝。 該放大器具有17至24 GHz的工作范圍,提供22 dB增益、+26 dBm飽和功率和23% PAE(+5V電源電壓)。
HMC383LC4是一款通用GaAs PHEMT MMIC驅(qū)動放大器,采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的無引腳SMT封裝。 該放大器采用+5V單電源,增益為15 dB,飽和功率為+18 dBm。 在整個工作頻帶內(nèi)具有一致的增益和輸出功率
HMC633LC4是一款GaAs PHEMT MMIC驅(qū)動放大器,采用無鉛4x4 mm表貼陶瓷封裝,工作頻率范圍為5.5至17 GHz。 該放大器提供高達(dá)30 dB的增益、+30 dBm輸出IP3及+23 dBm的輸出功率
HMC634LC4是一款GaAs PHEMT MMIC驅(qū)動放大器,采用無鉛4x4 mm陶瓷表貼封裝,工作頻率范圍為5至20 GHz。 該放大器提供高達(dá)21 dB的增益、+29 dBm輸出IP3及+22 dBm的輸出功率(1 dB增益壓縮時),功耗為180 mA(+5V電源)。
HMC498是一款高動態(tài)范圍GaAs PHEMT MMIC功率放大器,工作頻率范圍為17至24 GHz。 HMC498提供24 dB增益,飽和功率為+27 dBm,電源電壓為+5V (25% PAE)。 由于尺寸較小,HMC498放大器可輕松集成到多芯片模塊(MCM)中。
HMC-APH596是一款兩級GaAs HEMT MMIC中等功率放大器,工作頻率范圍為16至33 GHz。 HMC-APH596提供17 dB增益,采用+5V電源電壓時具有+24 dBm輸出功率(1 dB壓縮)。
Qorvo的RFGA2012專門設(shè)計(jì)用于以最小的直流功率實(shí)現(xiàn)高OIP3。超線性性能已在150MHz至3GHz的標(biāo)準(zhǔn)頻段中得到證明。RFGA2012具有VBIAS引腳,允許用戶針對特定要求優(yōu)化靜態(tài)電流。VBIAS引腳也可用作掉電引腳。
Qorvo的RFGA0024是一款高性能InGaP HBT MMIC放大器。RFGA0024的內(nèi)部有源偏置電路允許放大器直接從5V電源工作,并提供穩(wěn)定的電流隨溫度變化并處理Beta變化。這款達(dá)林頓放大器的內(nèi)部匹配電阻為50歐姆,非常適合需要小尺寸和最少外部元件的應(yīng)用。
Qorvo的RFGA0014是一款高性能InGaP HBT MMIC放大器。RFGA0014的內(nèi)部有源偏置電路允許放大器直接從5V電源工作,并提供穩(wěn)定的電流隨溫度變化并處理Beta變化。這款達(dá)林頓放大器的內(nèi)部匹配電阻為50歐姆,非常適合需要小尺寸和最少外部元件的應(yīng)用。
Qorvo的RF5633是專為最終或驅(qū)動器級應(yīng)用設(shè)計(jì)的線性功率放大器IC。該器件采用帶有背面接地的無引線芯片載體。RF5633設(shè)計(jì)用于在廣泛的溫度和功率輸出范圍內(nèi)保持線性。外部匹配為多個頻段的輸出功率提供可調(diào)性。
Qorvo的RF5623是專為中等功率應(yīng)用設(shè)計(jì)的線性功率放大器IC。該器件采用先進(jìn)的InGaP異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)工藝制造,設(shè)計(jì)用作802.16e發(fā)射器的最終射頻放大器。
Qorvo的RF3827是一款通用,低成本,高線性度的RF放大器IC。該器件采用砷化鎵工藝制造,采用3mm x 3mm,16引腳QFN封裝。它非常適合用作線性/低噪聲放大器,其中OIP3等于38dBm,噪聲系數(shù)小于1.5dB。
Qorvo的RF3315是一款高效率砷化鎵異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)放大器,采用低成本表面貼裝封裝。該放大器非常適用于需要200MHz至3GHz頻率范圍內(nèi)的高線性度和低噪聲系數(shù)的應(yīng)用。
Qorvo的RF3223是一款采用低成本表面貼裝封裝的高效GaAs異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)放大器。該放大器非常適用于需要500MHz至3GHz頻率范圍內(nèi)的高線性度和低噪聲系數(shù)的應(yīng)用。RF3223采用單5V電源供電,采用經(jīng)濟(jì)的3mm x 3mm QFN封裝。
Qorvo的RF3220是一款高效率砷化鎵異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)放大器,采用低成本表面貼裝封裝。該放大器非常適用于需要500MHz至3GHz頻率范圍內(nèi)的高線性度和低噪聲系數(shù)的應(yīng)用。RF3220采用單5V電源供電,采用經(jīng)濟(jì)的3mm x 3mm QFN封裝。
Qorvo的RF2162是針對3V手持系統(tǒng)的高功率高效率線性放大器IC。該器件采用先進(jìn)的砷化鎵異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)工藝制造,設(shè)計(jì)用作雙模式3V CDMA / AMPS手持?jǐn)?shù)字蜂窩設(shè)備擴(kuò)頻系統(tǒng)和其他應(yīng)用中的最終RF放大器。 800MHz至960MHz頻段。
Qorvo QPM1000是一款集成式限幅器/ LNA,可在2-20GHz頻率范圍內(nèi)提供穩(wěn)健,高性能。QPM1000在增益控制下提供17 dB的小信號增益,在整個頻率范圍內(nèi)具有1.7 - 4 dB的噪聲系數(shù),> 18 dBm P1dB。此外,集成限幅器提供高達(dá)4 W的入射功率的穩(wěn)健性水平,而不會降低性能。
AMCOM成立于1996年12月,由一群在微波電路設(shè)計(jì)和微波器件制造技術(shù)方面經(jīng)驗(yàn)豐富的微波設(shè)計(jì)師組成。它位于美國馬里蘭州蓋瑟斯堡,距華盛頓西北約20英里。該公司作為領(lǐng)先的微波設(shè)計(jì)組織享有盛譽(yù),該組織包括功率FET,MMIC功率放大器以及帶RF和DC連接器的高功率放大器模塊,這些模塊已準(zhǔn)備好用于微波系統(tǒng)。
AMCOM的AM072249WM是寬帶GaAs MMIC功率放大器。它有一個30dB小信號增益和39 dBm(8W)飽和輸出的額定CW性能功率超過0.7至2.2GHz頻段。MMIC在兩個芯片(-00—R)中提供。包(-SN-R)表單。AM072249WM SN-R是陶瓷封裝中的一種。法蘭和直RF和DC導(dǎo)致裝配下降
HMC609LC4是一款GaAs PHEMT MMIC低噪聲放大器(LNA),工作頻率范圍為2至4 GHz。 HMC609LC4在整個工作頻段內(nèi)具有出色的平坦性能特性,包括20 dB小信號增益、3.5 dB噪聲系數(shù)和+36.5 dBm輸出IP3。
HMC-APH403是一款三級GaAs HEMT MMIC中等功率放大器,工作頻率范圍為37至45 GHz。 HMC-APH403提供21 dB增益,采用+5V電源電壓時具有+23 dBm輸出功率(1 dB壓縮)。