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4-8.5 GHz低轉(zhuǎn)換損失X波段C波段通用雙平衡混頻器CMD251C3

2018-08-29 10:06:19

CMD251C3是一款通用雙平衡混頻器，采用無引腳表面貼裝封裝，可用于4至8.5 GHz的上變頻和下變頻應(yīng)用。由于優(yōu)化的巴倫結(jié)構(gòu)，CMD251C3對RF和IF端口具有非常高的隔離度，并且可以在低至+15 dBm的LO驅(qū)動電平下工作。

4-8 GHz高隔離度C波段I/Q混頻器CMD252C4

2018-08-29 09:49:03

CMD252C4是一款緊湊型I / Q混頻器，采用無引腳表面貼裝封裝，可用作鏡像抑制混頻器或單邊帶上變頻器。CMD252C4采用兩個雙平衡混頻器單元和一個90度混合器。需要外部IF混合來完成鏡像抑制。

20-32GHz寬IF帶寬K頻段Ka頻段雙平衡混頻器芯片CMD180

2018-08-29 09:29:57

CMD180是一款通用雙平衡混頻器，采用無引腳表面貼裝封裝，可用于20至32 GHz的上變頻和下變頻應(yīng)用。由于優(yōu)化的平衡 - 不平衡轉(zhuǎn)換器結(jié)構(gòu)，CMD180對RF和IF端口具有非常高的隔離度，并且可以在低至+9 dBm的LO驅(qū)動電平下工作。

30-46 GHz高隔離度Ka波段Q波段高中頻帶寬混頻器芯片CMD261

2018-08-29 09:18:56

CMD261是一款通用雙平衡混頻器芯片，具有超寬IF帶寬，可用于30至46 GHz之間的上變頻和下變頻應(yīng)用。由于優(yōu)化的平衡 - 不平衡轉(zhuǎn)換器結(jié)構(gòu)，CMD261對RF和IF端口具有非常高的隔離度，并且可以在低至+15 dBm的LO驅(qū)動電平下工作。

26-45 GHz無源雙平衡拓撲K波段Ka波段Q波段基本混頻器芯片CMD181

2018-08-29 09:12:34

CMD181是一款通用雙平衡混頻器芯片，可用于26至45 GHz之間的上變頻和下變頻應(yīng)用。由于優(yōu)化的平衡 - 不平衡轉(zhuǎn)換器結(jié)構(gòu)，CMD181對RF和IF端口具有非常高的隔離度，并且可以在低至+15 dBm的LO驅(qū)動電平下工作。

6-14 GHz通用C波段X波段Ku波段雙平衡混頻器芯片CMD177

2018-08-28 11:39:54

CMD177是一款通用雙平衡混頻器芯片，可用于6至14 GHz的上變頻和下變頻應(yīng)用。由于優(yōu)化的平衡 - 不平衡轉(zhuǎn)換器結(jié)構(gòu)，CMD177對RF和IF端口具有非常高的隔離度，并且可以在低至+9 dBm的LO驅(qū)動電平下工作。

CMD180C3無引腳貼片20-32GHz通用高隔離度雙平衡混頻器

2018-08-28 11:33:02

CMD180C3是一款采用無引腳表面貼裝（SMT）封裝的通用雙平衡混頻器，可用于20至32 GHz的上變頻和下變頻應(yīng)用。由于優(yōu)化的巴倫結(jié)構(gòu)，CMD180C3混頻器MMIX對RF和IF端口具有非常高的隔離度，并且可以在低至+9 dBm的LO驅(qū)動電平下工作。

CMD179C3低轉(zhuǎn)換損失K波段16-26GHz無源雙平衡混頻器

2018-08-28 11:24:51

CMD179C3是一款采用無引腳表面貼裝（SMT）封裝的通用雙平衡混頻器MMIC，可用于16至26 GHz之間的上變頻和下變頻應(yīng)用。由于優(yōu)化的平衡 - 不平衡轉(zhuǎn)換器結(jié)構(gòu)，CMD179C3 MMIC對RF和IF端口具有非常高的隔離度，并且可以在低至+9 dBm的LO驅(qū)動電平下工作。

CMD179雙平衡Ku波段K波段混頻器MMIC芯片

2018-08-28 11:19:19

CMD179是一款通用雙平衡混頻器MMIC芯片，可用于16至26 GHz之間的上變頻和下變頻應(yīng)用。由于優(yōu)化的平衡 - 不平衡轉(zhuǎn)換器結(jié)構(gòu)，CMD179混頻器MMIC對RF和IF端口具有非常高的隔離度，并且可以在低至+9 dBm的LO驅(qū)動電平下工作。

CMD178C3通用寬IF帶寬無源雙平衡混頻器11-21 GHz

2018-08-28 11:01:01

CMD178C3是一款采用無引腳表面貼裝（SMT）封裝的通用雙平衡混頻器MMIC，可用于11至20 GHz之間的上變頻和下變頻應(yīng)用。由于優(yōu)化的平衡 - 不平衡轉(zhuǎn)換器結(jié)構(gòu)，CMD178C3對RF和IF端口具有非常高的隔離度，并且可以在低至+9 dBm的LO驅(qū)動電平下工作。

CMD183C4是7.5-13GHz高隔離度射頻微波IQ混頻器鏡像抑制26dB

2018-08-28 10:51:28

CMD183C4是一款緊湊型RF /微波I / Q混頻器MMIC，采用無引腳表面貼裝（SMT）封裝，可用作鏡像抑制混頻器或單邊帶上變頻器。CMD183C4 I / Q混頻器采用兩個雙平衡混頻器單元和一個90度混合器。需要外部IF混合來完成鏡像抑制。

6-14 GHz通用型C波段X波段Ku波段雙平衡基波混頻器CMD177C3

2018-08-28 10:46:06

CMD177C3是一款通用型雙平衡混頻器，采用無引腳表面貼裝封裝，可用于6至14 GHz的上變頻和下變頻應(yīng)用。由于優(yōu)化的平衡 - 不平衡轉(zhuǎn)換器結(jié)構(gòu)，CMD177C3混頻器MMIC對RF和IF端口具有非常高的隔離度，并且可以在低至+9 dBm的LO驅(qū)動電平下工作。

CMD182C4是一款6-10 GHz緊湊型GaAs射頻微波IQ混頻器MMIC

2018-08-28 10:40:34

CMD182C4是一款緊湊型GaAs射頻/微波I / Q混頻器MMIC，采用無引腳表面貼裝（SMT）封裝，可用作鏡像抑制混頻器或單邊帶上變頻器。CMD182C4 I / Q混頻器MMIC采用兩個雙平衡混頻器單元和一個90度混合器。需要外部IF混合來完成鏡像抑制。

2-30 GHz（S，C，X，Ku，K，Ka頻段）5位數(shù)字衰減器CMD279

2018-08-27 15:15:41

CMD279是一款正控制，寬帶GaAs MMIC 5位數(shù)字衰減器芯片，工作頻率范圍為2至30 GHz。衰減器的每個位由0 V或+ 5V的單個電壓控制。衰減器位值為0.5（LSB），1,2,4和8 dB，總衰減為15.5 dB。

CMD281超寬帶2位數(shù)字衰減器芯片

2018-08-27 14:58:41

CMD281是負控制，寬帶GaAs MMIC 2位數(shù)字衰減器芯片，工作頻率范圍為DC至40 GHz。衰減器的每個位由0 V或-5 V的單個電壓控制。衰減器位值為2 dB和4 dB，總衰減為6 dB。CMD281在18 GHz時具有1.2 dB的低插入損耗，衰減精度通常為0.1 dB步進誤差。

CMD280負控制DC-30GHz寬帶GaAs MMIC 5位數(shù)字衰減器芯片

2018-08-27 14:51:44

CMD280是負控制，寬帶GaAs MMIC 5位數(shù)字衰減器芯片，工作頻率范圍為DC至30 GHz。衰減器的每個位由0 V或-5 V的單個電壓控制。衰減器位值為0.5（LSB），1,2,4和8 dB，總衰減為15.5 dB。CMD280在10 GHz時具有3 dB的低插入損耗，衰減精度通常為0.1 dB步進誤差。

CMD282C3負控制DC-22GHz寬帶GaAs MMIC 2位數(shù)字衰減器

2018-08-27 14:47:42

CMD282C3是一款負控制，寬帶GaAs MMIC 2位數(shù)字衰減器，采用無引腳3x3 mm表面貼裝封裝。衰減器的每個位由0 V或-5 V的單個電壓控制。衰減器位值為4 dB和8 dB，總衰減為12 dB。CMD282C3在10 GHz時具有1.9 dB的低插入損耗，衰減精度通常為0.2 dB步進誤差。

DC-22 GHz寬帶GaAs MMIC 2位數(shù)字衰減器CMD281C3

2018-08-27 14:37:59

CMD281C3是一款負控制，寬帶GaAs MMIC 2位數(shù)字衰減器，采用無引腳3x3 mm表面貼裝封裝。衰減器的每個位由0 V或-5 V的單個電壓控制。衰減器位值為2 dB和4 dB，總衰減為6 dB。

CMD280C3寬帶DC-18GHz低插入損耗Ku波段5位數(shù)字衰減器

2018-08-27 14:25:37

CMD280C3是一款負控制，寬帶GaAs MMIC 5位數(shù)字衰減器，采用無引腳3x3 mm表面貼裝封裝。衰減器的每個位由0 V或-5 V的單個電壓控制。衰減器位值為0.5（LSB），1,2,4和8 dB，總衰減為15.5 dB。CMD280C3在10 GHz時具有3的低插入損耗，衰減精度通常為0.1 dB步進誤差。

CMD279C3正控制寬帶GaAs MMIC 5位數(shù)字衰減器

2018-08-27 14:18:41

CMD279C3是一款正控制，寬帶GaAs MMIC 5位數(shù)字衰減器，采用無引腳3x3 mm表面貼裝封裝。衰減器的每個位由0 V或+ 5V的單個電壓控制。衰減器位值為0.5（LSB），1,2,4和8 dB，總衰減為15.5 dB。CMD279C3在9 GHz時具有3.5的低插入損耗，衰減精度通常為0.2 dB步進誤差。

DC-40GHz超寬帶2位數(shù)字衰減器芯片CMD282

2018-08-27 14:04:06

CMD282是負控制，寬帶GaAs MMIC 2位數(shù)字衰減器芯片，工作頻率范圍為DC至40 GHz。衰減器的每個位由0 V或-5 V的單個電壓控制。衰減器位值為4 dB和8 dB，總衰減為12 dB。CMD282在18 GHz時具有1.5 dB的低插入損耗，衰減精度通常為0.1 dB步進誤差。

CMD172用于K和Ka波段設(shè)計的RF微波電壓可變衰減器MMIC芯片

2018-08-27 13:58:32

CMD172是一款寬帶，RF /微波GaAs MMIC吸收電壓可變衰減器（VVA）芯片，工作頻率范圍為18至40 GHz。VVA使用-3V至0V的單個DC控制電壓來控制37 dB動態(tài)范圍內(nèi)的RF信號電平。CMD172衰減器MMIC具有1.6 dB的極低插入損耗，采用50歐姆匹配設(shè)計，無需RF端口匹配。

AMCOM的GaAs MMIC PAs系列產(chǎn)品推出最新EM封裝 性能更好

2018-08-27 11:37:58

AMCOM的GaAs MMIC PAs系列產(chǎn)品，最近新出了EM 封裝，是替代之前的FM封裝的，預(yù)計未來一到兩年后全部替換成EM, FM依然可以繼續(xù)購買。 EM的性能更好，更有優(yōu)勢。

CMD274P4低電流消耗2-20 GHz寬帶GaAs MMIC低相位噪聲放大器

2018-08-24 16:01:43

CMD274P4是一款寬帶GaAs MMIC低相位噪聲放大器，采用無引腳表面貼裝封裝，非常適合軍事，航天和通信系統(tǒng)。該器件在10 GHz時提供17 dB增益，飽和輸出功率為+22 dBm，噪聲系數(shù)為3.2 dB。此外，當輸入信號為10 GHz時，放大器在10 kHz偏移時提供-165 dBc / Hz的低相位噪聲性能。

DC-26.5 GHz超寬帶低相位噪聲放大器CMD275P4

2018-08-24 15:53:19

CMD275P4是一款寬帶GaAs MMIC低相位噪聲放大器，采用無引腳表面貼裝封裝，非常適合軍事，航天和通信系統(tǒng)。在10 GHz時，該器件可提供16 dB增益，飽和輸出功率為+20.5 dBm，噪聲系數(shù)為5.5 dB。

30-40 GHz低相位噪聲Ka頻段Q頻段U頻段低相位噪聲放大器CMD247

2018-08-24 15:48:04

CMD247是寬帶（Ka，Q，U波段）GaAs MMIC低相位噪聲RF /微波放大器（LPNA），非常適合軍事，航天和通信系統(tǒng)。在35 GHz時，放大器MMIC提供13 dB的增益，飽和輸出功率為+15 dBm，噪聲系數(shù)為5 dB。

CMD246C4寬帶GaAs MMIC低相位噪聲RF微波放大器（LPNA）

2018-08-23 17:07:48

CMD246C4是一款寬帶（C，X，Ku，K波段）GaAs MMIC低相位噪聲RF /微波放大器（LPNA），采用無引腳表面貼裝（SMT）封裝，非常適合軍事，航天和通信系統(tǒng)。在16 GHz時，該器件可提供17 dB增益，飽和輸出功率為+18 dBm，噪聲系數(shù)為5 dB。

8-22 GHz低相位噪聲X波段Ku波段K波段低相位噪聲放大器芯片CMD246

2018-08-23 16:59:19

CMD246是寬帶（C，X，Ku，K波段）GaAs MMIC低相位噪聲RF /微波放大器（LPNA），非常適合軍事，航天和通信系統(tǒng)。在16 GHz時，放大器提供17 dB增益，飽和輸出功率為+18 dBm，噪聲系數(shù)為3.5 dB。此外，當輸入信號為10 GHz時，放大器在10 kHz偏移時提供-165 dBc / Hz的低相位噪聲性能。

CMD245C4 低相位噪聲放大器射頻微波放大器（LPNA）

2018-08-23 16:40:39

CMD245C4是一款寬帶（C，X，Ku，K波段）GaAs MMIC低相位噪聲RF /微波放大器（LPNA），采用無引腳表面貼裝（SMT）封裝，非常適合軍事，航天和通信系統(tǒng)。在10 GHz時，該器件可提供18 dB增益，飽和輸出功率為+21 dBm，噪聲系數(shù)為4.5 dB。

C波段X波段Ku波段軍事航天寬帶低相位噪聲放大器芯片CMD245

2018-08-23 16:30:40

CMD245是一款寬帶GaAs MMIC低相位噪聲RF /微波放大器（LPNA），非常適合C，X，Ku波段軍事，航天和通信設(shè)計。在10 GHz時，該器件可提供18 dB的增益，+ 21 dBm的飽和輸出功率和3 dB的噪聲系數(shù)。輸入信號為10 GHz時，放大器在10 kHz偏移時提供-165 dBc / Hz的低相位噪聲性能。