North Hills 領先的測量和連接解決方案提供商North Hills Signal Processing Corporation 宣布推出新型高速電纜隔離變壓器TF1500A15。North Hills TF1500A15變壓器根據ANSI X3T11 FC-PH-3,SMPTE 292M,SAE AS5643 / 1和IEEE STD 1394b-2008的規范發送和接收信號。
North Hills 領先的測量和連接解決方案提供商North Hills Signal Processing Corporation宣布即將推出針對高速數據互連市場的新型高速接口電纜產品。
North Hills ?領先的測量和連接解決方案提供商North Hills Signal Processing Corporation宣布即將推出新型SMPTE 292M視頻平衡 - 不平衡轉換器。這些變壓器使用Sabritec和BNC連接器將75歐姆同軸電纜連接到100歐姆平衡電路。
在MACOM,我們提供各種脈沖和線性RF功率晶體管產品 - 分立器件,模塊和托盤,設計工作頻率范圍為DC至6 GHz。我們的高功率晶體管是民用航空電子設備,通信,網絡,雷達以及工業,科學和醫療應用的理想選擇。
在MACOM,我們提供各種脈沖和線性RF功率晶體管產品 - 分立器件,模塊和托盤,設計工作頻率范圍為DC至6 GHz。我們的高功率晶體管是民用航空電子設備,通信,網絡,雷達以及工業,科學和醫療應用的理想選擇。我們的產品組合利用MACOM 60多年的傳統,提供使用雙極,MOSFET和現在GaN技術的標準和定制解決方案,以滿足客戶最苛刻的需求。
MACOM是全球唯一一家用于射頻應用的GaN on Si技術供應商。我們在Si RF功率晶體管產品上提供廣泛的連續波(CW)GaN,作為分立器件和模塊,設計工作在DC至6 GHz。我們的高功率CW和線性晶體管是民用航空電子設備,通信,網絡,長脈沖雷達以及工業,科學和醫療應用的理想選擇。
MACOM是全球唯一一家用于射頻應用的GaN on Si技術供應商。我們在Si RF功率晶體管產品上提供廣泛的連續波(CW)GaN,作為分立器件和模塊,設計工作在DC至6 GHz。我們的高功率CW和線性晶體管是民用航空電子設備,通信,網絡,長脈沖雷達以及工業,科學和醫療應用的理想選擇。
NPT2024 GaN HEMT是一種寬帶晶體管,針對直流 - 2.7GHz工作進行了優化,采用推挽式配置。該器件支持CW,脈沖和線性工作,輸出功率為行業標準塑料封裝,功率為200 W(53 dBm)。NPT2024非常適用于國防通信,陸地移動無線電,航空電子設備,無線基礎設施,ISM應用和VHF / UHF / L / S波段雷達。
NPT2020 GaN HEMT是一款針對DC-3.5 GHz工作優化的寬帶晶體管。該器件設計用于CW,脈沖和線性工作,輸出功率超過50W(47 dBm),采用工業標準金屬陶瓷封裝,帶有螺栓法蘭。
NPT2018 GaN HEMT是一款針對DC-3.5 GHz工作優化的寬帶晶體管。該器件設計用于連續波,脈沖和線性工作,輸出功率為12.5W(41 dBm),采用工業標準表面貼裝塑料封裝。
NPT1015B GaN HEMT是一款針對DC-3.5 GHz工作優化的寬帶晶體管。該器件設計用于CW,脈沖和線性工作,輸出功率為45W(46.5 dBm),采用工業標準金屬陶瓷封裝,帶有螺栓法蘭。
NPA1007是一款寬帶GaN功率放大器,針對20-2500 MHz工作進行了優化。該放大器設計用于飽和和線性工作,輸出電平為10 W(40 dBm),采用無鉛6 x 5 mm 8引腳PDFN塑料封裝。
NPA1006是一款寬帶GaN功率放大器,針對20 - 1000 MHz工作進行了優化。該放大器設計用于飽和和線性工作,輸出電平為12.5 W(41 dBm),采用無鉛6 x 5 mm 8引腳PDFN塑料封裝。
MATR-GSHC03-160150 GaN HEMT是一種寬帶晶體管芯片,針對DC-3.5 GHz工作進行了優化。該器件支持CW,脈沖和線性工作,輸出功率為45 W(46.5 dBm)。MATR-GSHC03-160150非常適用于國防通信,陸地移動無線電,航空電子設備,無線基礎設施,ISM應用和VHF / UHF / L / S波段雷達。
MAGx-101214-500L00是一種金屬化的匹配氮化硅(GaN)硅(Si)RF功率晶體管,針對脈沖L波段雷達應用進行了優化。MAGX-101214-500L0x采用耐熱增強法蘭陶瓷封裝,具有出色的散熱性能。與較舊的半導體技術相比,高擊穿電壓允許可靠和穩定的操作。
MAGe-102425-300S00是一款RF Energy功率晶體管,針對2400-2500 MHz頻率工作進行了優化。該器件支持CW和脈沖操作,在工業標準氣腔封裝中輸出功率為300 W(54.8 dBm)。MAGe-102425-300S00非常適合CW應用,是一種高效,精確的熱源和電源。
MSPD1012-H50采樣相位檢測器(SPD)模塊是一個混合電路,提供快速步進恢復二極管,耦合電容和低勢壘肖特基對。肖特基對用作通過步進恢復二極管的快速步進導通的采樣電路,或者在頻域中,肖特基充當混頻器以混合最接近微波頻率的SRD步的諧波。
MSPD1012-E50采樣相位檢測器(SPD)模塊是一個混合電路,提供快速步進恢復二極管,耦合電容和低勢壘肖特基對。肖特基對用作通過步進恢復二極管的快速步進導通的采樣電路,或者在頻域中,肖特基充當混頻器以混合最接近微波頻率的SRD步的諧波。
MSPD1012-122系列表面貼裝相位檢測器采用MACOM經過驗證的混合制造工藝制造,包括PIN,肖特基二極管和集成在陶瓷基板內的無源器件。薄型,緊湊的表面貼裝元件(3.3 mm L x 2.8mm W x 1.5mm H)為帶引線封裝的類似芯片和導線分立器件提供卓越的RF和微波信號性能。
MSPD101x-121系列的產品是完全包含的采樣相位檢測器,每個包括一個光束引線硅步進恢復二極管,光束引線直流隔直電容器和一對安裝在陶瓷上的光束引線系列三通低阻硅硅肖特基二極管基質。半導體和芯片電容器在陶瓷基板的頂側用環氧樹脂封裝保護。
MSPD1011-122表面貼裝相位檢測器采用MACOM經過驗證的混合制造工藝制造,包括PIN,肖特基二極管和集成在陶瓷基板內的無源器件。薄型,緊湊的表面貼裝元件(3.3 mm L x 2.8mm W x 1.5mm H)為帶引線封裝的類似芯片和導線分立器件提供卓越的RF和微波信號性能。
采樣相位檢測器(SPD)模塊是一個混合電路,提供快速步進恢復二極管,耦合電容和低勢壘肖特基對。肖特基對用作通過步進恢復二極管的快速步進導通的采樣電路,或者在頻域中,肖特基充當混頻器以混合最接近微波頻率的SRD步的諧波。
NPT25100B氮化鎵28V/125W射頻功率晶體管, 針對CW,脈沖,WiMAX,W-CDMA,LTE和2100 - 2700MHz的其他應用進行了優化,特點適用于高達32V的工作電壓。
采樣相位檢測器(SPD)模塊是一個混合電路,提供快速步進恢復二極管,耦合電容和低勢壘肖特基對。肖特基對用作通過步進恢復二極管的快速步進導通的采樣電路,或者在頻域中,肖特基充當混頻器以混合最接近微波頻率的SRD步的諧波。
MSPD1002-E50?采樣相位檢測器(SPD)模塊是一個混合電路,提供快速步進恢復二極管,耦合電容和低勢壘肖特基對。肖特基對用作通過步進恢復二極管的快速步進導通的采樣電路,或者在頻域中,肖特基充當混頻器以混合最接近微波頻率的SRD步的諧波。
MSPD1000-H50采樣相位檢測器(SPD)模塊是一個混合電路,提供快速步進恢復二極管,耦合電容和低勢壘肖特基對。肖特基對用作通過步進恢復二極管的快速步進導通的采樣電路,或者在頻域中,肖特基充當混頻器以混合最接近微波頻率的SRD步的諧波。
MSPD1000-E50采樣相位檢測器(SPD)模塊是一個混合電路,提供快速步進恢復二極管,耦合電容和低勢壘肖特基對。肖特基對用作通過步進恢復二極管的快速步進導通的采樣電路,或者在頻域中,肖特基充當混頻器以混合最接近微波頻率的SRD步的諧波。
MAPS-011008是一款GaAs pHEMT 6位數字移相器,集成CMOS驅動器,采用無鉛4 mm PQFN塑料表面貼裝封裝。步長為5.6°,提供從0°到360°的相移,步長為5.6°。該設計經過優化,可最大限度地減少相移范圍內衰減的變化。
MAPS-011007是一款GaAs pHEMT 6位數字移相器,集成CMOS驅動器,采用4 mm PQFN塑料表面貼裝封裝。步長為5.6°,提供從0°到360°的相移,步長為5.6°。該設計經過優化,可最大限度地減少相移范圍內衰減的變化。MAPS-011007非常適用于需要高相位精度且相移范圍內損耗變化最小的場合。
MX8811H相當于一個高速11通道的8∶1多路復用器。雙數據速率鎖存器使11位差分數據輸出的數據速率為時鐘速率的兩倍。輸出驅動器的上拉電源VCCO可用于設置適合于最流行的高速接口標準,如CML或LVDS的輸出電平。多路復用器可以以時鐘速率>4 GHz工作。