CMD188是一款高效的GaAs MMIC低噪聲放大器,非常適用于小尺寸和低功耗的關鍵設計要求的電子戰和通信系統。該器件針對30 GHz進行了優化,可提供大于20 dB的增益,相應的輸出1 dB壓縮點為+6 dBm,噪聲系數為1.4 dB。
CMD188是一款高效的GaAs MMIC低噪聲放大器芯片,非常適用于小尺寸和低功耗的關鍵設計要求的電子戰和通信系統。該器件針對30 GHz進行了優化,可提供大于20 dB的增益,相應的輸出1 dB壓縮點為+6 dBm,噪聲系數為1.4 dB。
CMD162是一款高效的GaAs MMIC低噪聲放大器,非常適用于小尺寸和低功耗是關鍵設計要求的電子戰和通信系統。該器件針對30 GHz進行了優化,可提供大于22 dB的增益,相應的輸出1 dB壓縮點為+7 dBm,噪聲系數為1.7 dB。
CMD163C4是一款高動態范圍GaAs MMIC低噪聲放大器,采用無引腳4x4 mm表面貼裝(SMT)封裝。CMD163C4非常適用于需要小尺寸和高線性度的軍事,空間和通信系統。該器件針對21 GHz進行了優化,可提供大于23 dB的增益,相應的輸出1 dB壓縮點為+18 dBm,噪聲系數為1.7 dB。
CMD189P3是一款寬帶GaAs MMIC低噪聲放大器,采用無引腳3x3 mm塑料表面貼裝(SMT)封裝。CMD189P3非常適用于小尺寸和低功耗是關鍵設計要求的電子戰和通信系統。該器件工作頻率為10至14 GHz,增益大于19 dB,相應的輸出1 dB壓縮點為+4 dBm,噪聲系數為1.4 dB。
CMD167是一款高效的GaAs MMIC低噪聲放大器,非常適用于小尺寸和低功耗的關鍵設計要求的電子戰和通信系統。在14 GHz時,該器件可提供大于16 dB的增益,相應的輸出1 dB壓縮點為+11 dBm,噪聲系數為1.8 dB。
CMD159是一款高效的GaAs MMIC低噪聲放大器,非常適用于小尺寸和低功耗的關鍵設計要求的電子戰和通信系統。該器件針對12 GHz進行了優化,可提供大于25 dB的增益,相應的輸出1 dB壓縮點為+2 dBm,噪聲系數為1.1 dB。
CMD189P3是一款寬帶GaAs MMIC低噪聲放大器,采用無引腳3x3 mm塑料表面貼裝(SMT)封裝。CMD189P3非常適用于小尺寸和低功耗是關鍵設計要求的電子戰和通信系統。該器件工作頻率為10至14 GHz,增益大于19 dB,相應的輸出1 dB壓縮點為+4 dBm,噪聲系數為1.4 dB。
CMD161是一款高效的兩級GaAs MMIC低噪聲放大器,非常適用于小尺寸和低功耗是關鍵設計要求的電子戰和通信系統。該器件針對12 GHz進行了優化,可提供大于19 dB的增益,相應的輸出1 dB壓縮點為+5 dBm,噪聲系數為1.05 dB。
CMD223是一款寬帶GaAs MMIC低噪聲放大器,非常適用于小尺寸和低功耗的關鍵設計要求的電子戰和通信系統。在13.5 GHz時,該器件可提供大于22 dB的增益,相應的輸出1 dB壓縮點為+13.5 dBm,噪聲系數為1.5 dB。
CMD167P3是一款寬帶GaAs MMIC低噪聲放大器,采用無引腳3x3 mm塑料表面貼裝封裝。CMD167P3非常適用于小尺寸和低功耗是關鍵設計要求的電子戰和通信系統。該器件工作在8至16 GHz,提供大于16 dB的增益,相應的輸出1 dB壓縮點為+11 dBm,噪聲系數為1.8 dB。
CMD194C3是一款寬帶GaAs MMIC低噪聲放大器,采用無引腳3x3 mm塑料表面貼裝(SMT)封裝。CMD194C3非常適用于小尺寸和低功耗是關鍵設計要求的電子戰和通信系統。寬帶設備提供大于20 dB的增益,相應的輸出1 dB壓縮點為+15 dBm,噪聲系數為2 dB。
CMD157是一款寬帶GaAs MMIC低噪聲放大器,非常適用于小尺寸和低功耗的關鍵設計要求的電子戰和通信系統。寬帶設備提供大于25 dB的增益,相應的輸出1 dB壓縮點為+10 dBm,噪聲系數為1.5 dB。
CMD186P3是一款寬帶GaAs MMIC低噪聲放大器,采用無引腳3x3 mm塑料表面貼裝(SMT)封裝。CMD186P3非常適用于小尺寸和低功耗是關鍵設計要求的電子戰和通信系統。寬帶設備提供18.5 dB的增益,相應的輸出IP3為+28 dBm,噪聲系數為2.1 dB。
CMD222是一款寬帶MMIC低噪聲放大器,非常適用于需要小尺寸和低功耗的微波無線電和C和X波段應用。寬帶設備提供大于22 dB的增益,相應的輸出1 dB壓縮點為+11 dBm,噪聲系數為1.2 dB。CMD222采用50歐姆匹配設計,無需外部DC模塊和RF端口匹配。CMD222提供完全鈍化,可提高可靠性和防潮性。
CMD132P3是一款寬帶GaAs MMIC低噪聲放大器,采用無引腳3x3 mm塑料表面貼裝(SMT)封裝。CMD132P3非常適用于微波無線電和C和X波段應用,其中小尺寸和低功耗是關鍵設計要求。寬帶設備提供大于20 dB的增益,相應的輸出1 dB壓縮點為+10 dBm,噪聲系數為1.4 dB。
CMD132是一款寬帶GaAs MMIC低噪聲放大器,非常適用于微波無線電和C和X波段應用,其中小尺寸和低功耗是關鍵設計要求。寬帶設備提供大于22 dB的增益,相應的輸出1 dB壓縮點為+10 dBm,噪聲系數為1.4 dB。
CMD229P4是一款寬帶GaAs MMIC低噪聲放大器,采用無引腳4x4 mm塑料表面貼裝(SMT)封裝。CMD229P4非常適用于微波無線電和C和X波段應用,其中高增益,低噪聲系數和低功耗是關鍵設計要求。
CMD229是一款寬帶GaAs MMIC低噪聲放大器,非常適用于微波無線電和C和X波段應用,其中高增益,低噪聲系數和低功耗是關鍵設計要求。寬帶設備提供27 dB的增益,相應的輸出1 dB壓縮點為+13 dBm,噪聲系數為1.4 dB。
CMD218是一款寬帶GaN低噪聲放大器MMIC,非常適用于微波無線電和C和X波段應用,其中小尺寸和高輸入功率生存能力是關鍵設計要求。寬帶設備提供大于22 dB的增益,相應的輸出1 dB壓縮點為+18.5 dBm,噪聲系數為0.9 dB。
CMD119P3是一款寬帶GaAs MMIC低噪聲放大器MMIC,采用無引腳3x3 mm塑料表面貼裝(SMT)封裝。CMD119P3 LNA非常適用于微波無線電和C和X波段應用,其中小尺寸和低功耗是關鍵設計要求。寬帶設備提供大于22 dB的增益,相應的輸出1 dB壓縮點為+11 dBm,噪聲系數為1.2 dB。
CMD219C4是一款寬帶GaN低噪聲放大器MMIC,采用無引腳4x4 mm QFN封裝。CMD219C4非常適用于微波無線電和C波段應用,其中小尺寸和高輸入功率生存能力是關鍵的設計要求。寬帶設備提供大于22.5 dB的增益,相應的輸出1 dB壓縮點為+17 dBm,噪聲系數為1 dB。
CMD219是一款寬帶GaN MMIC低噪聲放大器,非常適用于微波無線電和C波段應用,其中小尺寸和高輸入功率生存能力是關鍵的設計要求。寬帶設備提供大于23 dB的增益,相應的輸出1 dB壓縮點為+18 dBm,噪聲系數為1 dB。
CMD185P3是一款寬帶GaAs MMIC低噪聲放大器,采用無引腳3x3 mm塑料表面貼裝(SMT)封裝。CMD185P3 LNA非常適用于小尺寸和低功耗是關鍵設計要求的電子戰和通信系統。寬帶設備提供大于15 dB的增益,相應的輸出1 dB壓縮點為+15 dBm,噪聲系數為1.9 dB。
CMD228P4是一款寬帶GaAs MMIC低噪聲放大器,采用無引腳4x4 mm塑料表面貼裝(SMT)封裝。CMD228P4非常適用于微波無線電和S和C波段應用,其中高增益,低噪聲系數和低功耗是關鍵設計要求。
CMD228是一款寬帶GaAs MMIC低噪聲放大器,非常適合S和C波段微波無線電,其中小尺寸和低功耗是關鍵的設計要求。寬帶設備提供30 dB的增益,相應的輸出1 dB壓縮點為+12 dBm,噪聲系數為1.2 dB。CMD228低噪聲放大器MMIC采用50歐姆匹配設計,無需外部DC模塊和RF端口匹配。CMD228還提供完全鈍化,以提高可靠性和防潮性。
Qorvo的TQP3M9035是一款高線性度低噪聲增益模塊放大器,采用低成本表面貼裝封裝。LNA內部匹配,具有高線性度,同時在寬頻率范圍內提供超低噪聲系數。這使得該器件可用于高性能系統的接收和發送鏈。該放大器采用高性能E-pHEMT工藝,僅需一個外部RF扼流圈和阻塞/旁路電容即可通過+ 5V單電源供電。
Qorvo的TQP3M9019是一款可級聯的高線性度增益模塊放大器,采用低成本表面貼裝封裝。在1.9 GHz時,放大器通常提供22 dB增益,+ 39.5 dBm OIP3和1.3 dB噪聲系數,同時僅提供115 mA電流。
Qorvo的TQP3M9018是一款可級聯的高線性度增益模塊放大器,采用低成本表面貼裝封裝。在1.9 GHz時,放大器通常提供20.5 dB增益,+ 37 dBm OIP3和1.3 dB噪聲系數,同時僅提供85 mA電流。
Qorvo的TQP3M9009是一款可級聯的高線性度增益模塊放大器,采用低成本表面貼裝封裝。在1.9GHz時,放大器的目標是提供21.8dB增益,+ 39.5 dBm OIP3和1.3 dB噪聲系數,同時僅提供125 mA電流。