NPT2018無線基礎設施DC-3.5 GHz寬帶晶體管
發布時間:2018-09-19 17:28:28 瀏覽:1473
NPT2018 GaN HEMT是一款針對DC-3.5 GHz工作優化的寬帶晶體管。該器件設計用于連續波,脈沖和線性工作,輸出功率為12.5W(41 dBm),采用工業標準表面貼裝塑料封裝。
品牌 | 型號 | 貨期 | 庫存 |
MACOM | NPT2018 | 1周 | 90 |
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特征
適用于線性和飽和應用
工業標準塑料包裝
48V操作
可從DC-6 GHz調諧
高漏極效率(> 60%)
應用
航空航天與國防
航空電子學
國防通訊
主義
VHF / UHF / L / S波段雷達
無線基礎設施
產品規格
電源電壓:48 V.
PSAT:12.5瓦
增益:17.5 dB
測試頻率:2.5 GHz
Theta JC:6.5 C / W.
最大頻率:3,500 MHz
最小頻率:0 MHz
MACOM是全球唯一一家用于射頻應用的GaN on Si技術供應商。我們在Si RF功率晶體管產品上提供廣泛的連續波(CW)GaN,作為分立器件和模塊,設計工作在DC至6 GHz。我們的高功率CW和線性晶體管是民用航空電子設備,通信,網絡,長脈沖雷達以及工業,科學和醫療應用的理想選擇。我們的產品組合利用了MACOM超過60年的傳統,即使用GaN on Si技術提供標準和定制解決方案,以滿足客戶最苛刻的需求。我們的GaN on Silicon產品,采用分立晶體管和集成放大器,采用0.5微米HEMT工藝,在功率,增益,增益平坦度,效率方面表現出優異的RF性能,
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