產品詳情介紹
4M系列金屬氮化物硅芯片電容器是專為微波電路應用中的高可靠性和可重復性而設計的。這些電容器是用低壓化學氣相沉積（LPCVD）制成的，這種沉積能產生致密、均勻的氮化物層。與類似的MOS、MIS和陶瓷電容器相比，這些器件具有更高的單位面積電容（導致更小的芯片尺寸）和更高的耐用性。蒸發(fā)金觸點用于在電容器芯片上提供易于粘合的金屬墊。M/A-Com MNS電容器在150攝氏度的額定隔離電壓下沒有顯示可測量的電容變化。
MA4M系列芯片電容器是Ku波段混合微波電路的最佳選擇，在Ku波段，低損耗、高可靠性、小尺寸和溫度穩(wěn)定性是首要考慮的問題。
這些芯片電容器適用于需要直流塊、耦合電容器、旁路電容器、電容負載和振蕩器、乘法器和濾波器中的調諧元件的應用。
MA4M2020特征
?良好的重復性（晶圓對晶圓和批次對批次）
?小尺寸
?低損耗，高Q
?提供圓形或方形粘合墊