產(chǎn)品詳情介紹
AM010MH4-BI-R是砷化鎵HIFET的BI系列的一部分。HiFET是一種部分匹配的專利設(shè)備配置，用于高壓、大功率、高線性和寬帶應用。該部件的總設(shè)備外圍為4毫米。AM010MH4-BI-R專為高功率微波應用而設(shè)計，工作頻率高達3GHz。BI系列采用特殊設(shè)計的陶瓷封裝，彎曲或筆直的引線和法蘭采用插入式安裝方式。包裝底部的法蘭同時作為直流接地、射頻接地和熱通道。這種HiFET符合RoHS標準。
特征
28V漏極偏壓
寬帶部分匹配：DC–2.4GHz
高達3 GHz的高頻操作
高增益：G=19dB@2.0GHz
高功率：P1dB=31dBm@2.0GHz
高線性：IP3=46dBm@2.0GHz
有效散熱的陶瓷包裝
應用
寬帶應用
高壓20至28V
無線本地環(huán)路網(wǎng)絡
PC基站
WLAN、中繼器和超局域網(wǎng)
C波段VSAT
航空電子通信