GTRB226002FC-V1 S波段高功率RF GaN
發(fā)布時間:2024-11-12 17:06:41 瀏覽:464
GTRB226002FC-V1是CREE是款450瓦(P3dB)的SiC上GaN高電子遷移率晶體管(HEMT),應(yīng)用在多標(biāo)準蜂窩狀功率放大器技術(shù)應(yīng)用。GTRB226002FC-V1具備高效化和無軸環(huán)的熱增強封裝形式。
產(chǎn)品規(guī)格
闡述:SiC HEMT上的高功率RF GaN 450 W,48 V,2110-2200 MHz
最低頻率(MHz):2110
最高頻率(MHz):2200
P3dB輸出功率(W):450
增益值(dB):15
效率(%):60
特征
典型的脈沖CW性能:10μs脈沖寬度,10%pwm占空比,2200 MHz,48 V,Doherty夾具效率=65%
增益值=14dB
P3dB=450W時的輸出功率
模特模型1B級(根據(jù)ANSI/ESDA/JEDEC JS-001)
低熱阻
無鉛并滿足RoHS標(biāo)準
GaN基SiC HEMT技術(shù)
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