使用具有獨(dú)立柵極偏壓控制的并聯(lián)晶體管的GaN HEMT放大器的線(xiàn)性增強(qiáng)
發(fā)布時(shí)間:2018-09-06 15:19:40 瀏覽:1812
GaN HEMT具有高輸出功率密度和寬帶寬下的高效率。但是GaN HEMT的線(xiàn)性度通常比GaAs器件的線(xiàn)性度差。本文提出了一種簡(jiǎn)單的方法來(lái)改善GaN HEMT的線(xiàn)性度。所提出的方法是將器件分成與獨(dú)立控制的柵極偏置電壓并聯(lián)的多個(gè)子單元,然后對(duì)子單元輸出進(jìn)行功率組合。
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