?CMPA1D1E030 Ku波段功率放大器CREE
發(fā)布時(shí)間:2024-02-29 17:09:17 瀏覽:773
CREE的CMPA1D1E030D是款碳化硅單晶上根據(jù)氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC);CMPA1D1E030D選用0.25μm柵極尺寸工藝技術(shù)。與硅相比較,GaN-on-SiC具有更加優(yōu)異的性能;砷化鎵或硅基氮化鎵;包含更高的擊穿場(chǎng)強(qiáng);更高的飽和電子漂移效率和更高的導(dǎo)熱系數(shù)。
特征
27 dB 小信號(hào)增益值
30 W 典型 PSAT
工作電壓高至 40 V
高擊穿場(chǎng)強(qiáng)
高溫度操控
應(yīng)用領(lǐng)域
衛(wèi)星通訊上行鏈路
產(chǎn)品規(guī)格
描述:30瓦;13.75 至 14.5 GHz;40V;GaN MMIC 功率放大器
最低頻率(MHz):13750
最高頻率(MHz):14500
最高值輸出功率(W):30
增益值(dB):26.0
效率(%):25
工作電壓(V):40
形式:MMIC 裸片
封裝類(lèi)別:Die
技術(shù):GaN-on-SiC
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CT-4024-O/CT-4023-N鐵氧體隔離器是采用鐵氧體材料的微波非互易器件,具備單向傳輸特性,有全焊接密封設(shè)計(jì),可在-40℃~+85℃寬溫工作,滿足軍用標(biāo)準(zhǔn)和軍工級(jí)性能要求。