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?CGHV40180 L波段功率放大器CREE

發布時間：2023-12-29 17:14:35 瀏覽：846

CGHV40180是款氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。具備前所未有的輸入，能夠在DC-2.0GHz范圍之內提供最好的的瞬時寬帶性能。與硅或砷化鎵相比較，CGHV40180具有更加優異的性能；包括更高的擊穿場強；更高的飽和電子漂移速度與更高的導熱系數。與Si和GaAs晶體管相比較，CGHV40180還提供更高的功率密度和更寬的帶寬。CGHV40180選用2導線金屬/陶瓷法蘭盤和藥丸式封裝，能夠實現最好電氣和熱穩定性。

特征

輸入不適配

180W(CW)最低功率

250W典型功率

24dB典型小信號增益值

28V和50V使用

應用領域

雷達探測

醫療保健

寬帶放大器

信息安全VHF-UHF

國防軍事通訊設備

產品規格

描述：180瓦；DC-2GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管

最低頻率(MHz)：0

最高頻率(MHz)：2000

最高值輸出功率(W)：200

增益值(分貝)：24.0

效率（％）：70

額定電壓(V)：27

類型：封裝分立晶體管

封裝類別：法蘭盤、丸狀

技術應用：GaN-on-SiC

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