?GTVA10700 L波段放大器CREE
發布時間:2023-06-13 16:42:27 瀏覽:1128
CREE的GTVA107001EC是款700瓦GaN on SiC高電子遷移率晶體管(HEMT),適用于960至1215MHz頻率段。GTVA10700具備輸入適配功能性;高效化;和熱強化封裝;帶螺母穩固法蘭盤。
特征
輸入適配
普遍的脈沖CW性能指標(AB類);1030MHz;50伏;128ms脈沖寬度;10%pwm占空比;輸出功率P3dB=890W;引流效率=75%;增益值=18dB
可以承受10:1負載失諧(脈沖情況下700W功率輸出下的所有相位差:50V;100mAIDQ;128μs脈沖寬度;10%pwm占空比
模特模型類IC(根據ANSI/ESDA/JEDECJS-001)
無鉛并符合RoHS標準規定
應用
雷達放大器
CREE(科銳)成立于1987年,CREE科銳具備30多年的寬帶GAP原材料和創新產品,CREE科銳是一個完整的設計合作伙伴,符合射頻的需求,CREE科銳為行業內技術領先的機器設備提供更強的功率和更低的功能損耗。CREE科銳由最開始的GaN基材LED產品技術領先全世界,到微波射頻與毫米波芯片產品,CREE科銳于2017年分離出微波射頻品牌Wolfspeed,以寬帶、大功率放大器產品為特色。
深圳市立維創展科技是CREE的經銷商,擁有CREE微波器件優勢供貨渠道,并長期庫存現貨,以備中國市場需求。
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Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
GTVA107001FC-V1 | GaN on SiC | 0.96 GHz | 1.215 GHz | 700 W | 20 dB | 70% | 50 V | Packaged Discrete Transistor | Earless |
GTVA107001EC-V1 | GaN on SiC | 0.96 GHz | 1.215 GHz | 700 W | 20 dB | 70% | 50 V | Packaged Discrete Transistor | Bolt Down |
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