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CG2H80060D C波段GaN HEMT管芯CREE

發(fā)布時(shí)間：2022-10-31 16:57:57 瀏覽：1112

Wolfspeed的CG2H80060D是種氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。與硅或砷化鎵相比較，GaN具備優(yōu)異的性能指標(biāo)；CG2H80060D包含更高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)；更高的飽和電子漂移速率；及其更高的導(dǎo)熱系數(shù)。與Si和GaAs晶體管相比較，CG2H80060D具備更多的功率密度參數(shù)和更寬的網(wǎng)絡(luò)帶寬。

特征

60W典型的PSAT

28V操控

高擊穿場(chǎng)強(qiáng)

高溫度操控

最高的8GHz操控

效率高

應(yīng)用

雙重專用型收音機(jī)

寬帶放大器

蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)

測(cè)試設(shè)備

ClassA；AB；主要用于OFDM的線性放大器；W-CDMA；邊緣；CDMA波型

CREE（科銳）成立于1987年，CREE科銳具備30多年的寬帶GAP原材料和創(chuàng)新產(chǎn)品，CREE科銳是一個(gè)完整的設(shè)計(jì)合作伙伴，符合射頻的需求，CREE科銳為行業(yè)內(nèi)技術(shù)領(lǐng)先的機(jī)器設(shè)備提供更強(qiáng)的功率和更低的功能損耗。CREE科銳由最開(kāi)始的GaN基材LED產(chǎn)品技術(shù)領(lǐng)先全世界，到微波射頻與毫米波芯片產(chǎn)品，CREE科銳于2017年分離出微波射頻品牌Wolfspeed，以寬帶、大功率放大器產(chǎn)品為特色。

深圳市立維創(chuàng)展科技是CREE的經(jīng)銷商，擁有CREE微波器件優(yōu)勢(shì)供貨渠道，并長(zhǎng)期庫(kù)存現(xiàn)貨，以備中國(guó)市場(chǎng)需求。

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Product SKU	Technology	Frequency Min	Frequency Max	Peak Output Power	Gain	Efficiency	Operating Voltage	Form	Package Type
CG2H80060D-GP4	GaN on SiC	DC	8 GHz	60 W	>12 dB	70%	28 V	Discrete Bare Die	Die

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