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C波段GaN MMIC 功率放大器CMPA0060002 CREE

發布時間：2022-07-14 16:41:47 瀏覽：777

CREE的CMPA0060002是種根據氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)的單片微波集成電路(MMIC)。GaN與硅或砷化鎵相比較具備優質的性能指標；包括更高電壓擊穿；更高飽和電子漂移速率和更高導熱系數。與Si和GaAs晶體管相比較，GaN HEMT還保證更高功率密度和更寬的帶寬。C波段GaN MMIC功率放大器CMPA0060002CREE選用分布式（行波）放大器設計方法；能夠在極小的空間內完成極寬的帶寬。保證裸片和具有銅鎢熱管散熱器的旋入式封裝形式。

CREE的C波段GaN MMIC功率放大器CMPA0060002具備2-W;20-MHz-6000-MHz；GaN MMIC功率放大器。

特征

17dB小信號增益值

3W經典PSAT

額定電壓高達28V

高電壓擊穿

高溫度操作

應用

超寬帶放大器

網絡光纖驅動器

測試設備

EMC放大器驅動器

CREE（科銳）成立于1987年，CREE科銳具備30多年的寬帶GAP原材料和創新產品，CREE科銳是一個完整的設計合作伙伴，符合射頻的需求，CREE科銳為行業內技術領先的機器設備提供更強的功率和更低的功能損耗。CREE科銳由最開始的GaN基材LED產品技術領先全世界，到微波射頻與毫米波芯片產品，CREE科銳于2017年分離出微波射頻品牌Wolfspeed，以寬帶、大功率放大器產品為特色。

深圳市立維創展科技是CREE的經銷商，擁有CREE微波器件優勢供貨渠道，并長期庫存現貨，以備中國市場需求。

詳情了解CREE射頻微波請點擊：http://www.imhgnv.cn/brand/35.html

Product SKU	Technology	Frequency Min	Frequency Max	Peak Output Power	Gain	Efficiency	Operating Voltage	Form	Package Type
CMPA0060002F1	GaN on SiC	DC	6 GHz	2 W	18 dB	25%	28 V	Packaged MMIC	Flange
CMPA0060002D	GaN on SiC	DC	6 GHz	2 W	17 dB	30%	28 V	MMIC Bare Die	Die
CMPA0060002F	GaN on SiC	DC	6 GHz	2 W	17 dB	23%	28 V	Packaged MMIC	Flange
CMPA0060002F-AMP	GaN on SiC	DC	6 GHz	2 W	17 dB	NA	28 V	Evaluation Board	Flange
CMPA0060002F1-AMP	GaN on SiC	DC	6 GHz	2 W	18 dB	NA	28 V	Evaluation Board	Flange

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