現階段SiC二極管早已十分成熟了，國內國外的玩家都能夠批量生產。但在MOS等其它元器件上，國內國外差別很大。從運用的角度觀察，盡管絕大多數的運用客戶都是有（或聲稱有）對SiC元器件的科學研究和計劃方案，但總的來說，對SiC元器件的深刻領會、對其應力和界限的探尋和科學研究，從運用端的多角度看來，也是必須更長期的全過程。
關鍵重要環(huán)節(jié)的產業(yè)發(fā)展規(guī)劃的難題：
襯底的加工過程中的精準操縱始終是個關鍵難題。SiC多晶硅生長發(fā)育環(huán)境溫度高達2,300℃，且碳化硅只能“固-氣”二相，對比于第一代、第二代半導體材料的“固-液-氣”三相，操縱下去要難題得多，沒有相關技術性開展參考參考。再加上SiC的多晶硅結構相似有200余種同分異構，很多的晶體結構間的自由能差別十分小，這些都給其多晶硅的產業(yè)發(fā)展規(guī)劃生長發(fā)育制取產生了很大的考驗。可以直接的結論是，sic單軸晶體中的缺點始終是關鍵要徹底解決的難題。
外延性方面，延續(xù)了襯底中缺點操縱的考驗——與襯底相似，其生長發(fā)育全過程的精準操縱也是難題。對生長發(fā)育全過程的設計必須綜合考慮到元器件要求、缺點和過程管理等各個方面要素。元器件端的考驗關鍵在mos管及之上（從結構的復雜性看來）元器件上，比如元器件柵氧層的制取，即便是功率器件的行業(yè)行業(yè)龍頭，現階段也也是必須連續(xù)不斷去提升和健全。由于SiC材料的高韌性和高溫生產加工區(qū)域環(huán)境，夾雜工藝上的考驗也較為大。
運用和計劃方案的配套設施可以直接決定了SiC元器件的應用推廣，功率半導體現階段絕大多數的應用領域也是以硅基產品為基礎性，必須依據SiC元器件的特性和要求設計制作其運用生態(tài)和配套設施的外圍電路，因此運用和計劃方案商的缺乏現階段對于整個產業(yè)鏈的發(fā)展而言，是一個急待提升的焦點。
或許，最關鍵的難題也是繞不開：成本費用。
常常聽到的一些思想觀點是，碳化硅元器件也是太貴了。從產業(yè)發(fā)展規(guī)劃的規(guī)律看，只能當成本費用和價錢跌破到某一些零界點后，其規(guī)模性的批量運用才會下去。這是一個動態(tài)性且復雜的全過程。
在這里只從一些邏輯性層面來剖析下“成本費”——適用SiC電力電子器件運用的人員，基本都是提及SiC電力電子器件的體系成本費已經貼近且極有潛力小于Si基元器件的體系成本費，因為SiC電力電子器件會促使配套的電源電路越來越更簡易和更少的模塊，進而在體系層面來可以降低成本。
芯片實際上也是電路系統(tǒng)，SiC電力電子器件芯片自身也歸功于更高效的個性特征——更小的size。一樣指標值和性能的企業(yè)產品，一片SiCwafer上可以生產制造出去的die的總數，大概能抵上上6片SiWafer的產出率。
因此SiC電力電子器件的成本費潛力及邏輯性支撐點，我們認為是令人信服的。但這一邏輯性一樣要經遭受具體運用狀況的考驗和檢測。一個是wafer成本費以及每顆die的成本費，較為適合的比較，是和12寸線的狀況來較為，這一臨界點大概會是12寸Si圓晶狀況下的幾倍？一個是更小的size的正負極經濟效益都要充分考慮，特別是結合事后的封裝和運用，或許很多看在明面上的益處，實際上是必須打折的。
對SiC產業(yè)化難點的歸納如下：
原材料——高成本費、缺點密度（良率）、圓晶規(guī)格和圓晶供求
元器件——高成本費、產線、長期性可靠性、封裝和可靠的供應鏈管理關系
體系/方案——外場配套和運用環(huán)境
確實，任何新鮮事物的產品推廣，基本都是遭受產業(yè)鏈本質發(fā)展邏輯性和動力促進而影響的，SiC電力電子器件也是一樣的。接著我們嘗試來剖析下，針對SiC電力電子器件而言，目前其產業(yè)鏈動能的狀況怎樣？
SiC功率半導體產業(yè)鏈的發(fā)展驅動力
5月7日，Cree公布將投資10億美金用以擴大SiC的生產能力，包含融合一座8寸晶圓廠（4.5億項目投資用以NorthFab，擴建工廠和生產能力）和一座SiC原材料工廠（4.5億美金用以megafactory，剩下的1億美金用以SiC其他業(yè)務流程的相關資金投入），將其SiC原材料和晶圓制造的能力（對比于2017年的Q1）擴大30倍。
Cree對SiC未來（到2024年）的預估的自信心到底有多少，我們不言自明，但打出那樣的牌，一是也合乎Cree這兩年始終對外釋放出來的數據信號，比如在2019財年Q2的EarningsCallTranscript中，Cree預計2019財年的資產資金投入約2.2億美金，絕大多數用于擴大wolfspeed的生產能力。二是Cree分辨目前早已達到了選用純電動車和選用碳碳復合材料的轉折點——汽車企業(yè)已公布方案在電氣自動化新項目上花銷至少3000億美元，他們對碳碳復合材料的興趣愛好非常高。因而企業(yè)需要確保自己在sic行業(yè)領域的長期性供貨能力。從他們目前和下游簽下的長期性晶圓供貨協議書已經驗證這種發(fā)展趨勢，目前這種協議書總金額超過4.5億美元，包含2020年與STMicro簽訂的使用價值超過2.5億美元的合同協議。
做為Cree在SiC原材料上的強勁競爭者，II-VI、DowCorning、Rohm和昭和電工近年來也是不斷在擴大生產能力。II-VI在其2019年Q3的網絡會議中說明：2018年基于SiC的電力工程電子設備提高了70％。全部SiC的應用商店已經提升，尤其是在中國。在財政投入層面，2019財年其很大部分的資產資金投入，基本都是用于SiC。II-VI對其每一個SiC原材料工廠常有一個批量生產改進方案，其核心在于較大程度地完成不斷的產量改善，方案在未來18到24個月內將生產能力增漲。融合和下游客戶的溝通和密切聯系得到的反饋，II-VI層面覺得市場層面明顯地低估了對SiC襯底的要求。此外，在下游要求的定位層面，和Cree類似，II-VI絕大多數的SiC襯底要求基本都是長期性合同協議。
日本SiC外延性的領導干部生產商昭和電工近些年也姿勢頻密，在持續(xù)4次公布擴大其SiC外延性生產能力后，其SiC外延性生產能力從最初的1500片/月提升至2019年Q1的9000片/月。而位于臺灣的外延性生產商嘉晶其2018年的sic外延性生產能力為4寸1500片/月，方案在2019年新增6寸1000片/月的生產能力。
一個產業(yè)發(fā)展規(guī)劃的驅動力體制是比較復雜的，但是最底層的幾個因素可以梳理為：成本（生產能力）、價錢（要求）、特性、應用和最后出海口。
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